制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 230 V
集电极—基极电压 VCBO: 230 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 0.4 V
直流电集电极电流: 15 A
增益带宽产品fT: 30 MHz
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
系列: 2SC5242
直流电流增益 hFE 值: 160
高度: 4.8 mm
长度: 20 mm
宽度: 15.9 mm
商标: Toshiba
集电极连续电流: 15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80
Pd-功率耗散: 130 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
单位重量: 6.401 g
由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管,50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中,中间一层称基区,外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时,在发射区和集电区之间就会形成较大的电流,这就是晶体管的放大效应。
双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor)
双极型晶体管是一种电流控制器件,电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比,双极型晶体管开关速度慢,输入阻抗小,功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高,已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域,起放大、振荡、开关等作用。
双极型晶体管
双极型晶体管
晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管.