蓝界科技（深圳）有限公司

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: Power-33-8

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 12 A

Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 12 V

Qg-栅极电荷: 12 nC, 21 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 800 mW

配置: Dual

商标名: PowerTrench

封装: Cut Tape

封装: Reel

高度: 0.8 mm  

长度: 3 mm  

系列: FDMC8030  

晶体管类型: 2 N-Channel  

宽度: 3 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

单位重量: 196 mg

以金氧半场效晶体管（MOSFET）的命名来看，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal（金属）”的个字母M，在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料，但随着半导体技术的进步，现代的金氧半场效晶体管栅极已用多晶硅取代了金属。

金氧半场效晶体管里的氧化层位于其沟道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不过有些新的制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）做为氧化层之用。

今日半导体组件的材料通常以硅为，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中的例如IBM使用硅与锗的混合物所发展的硅锗制程（SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（GaAs），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造金氧半场效晶体管组件。

当一个够大的电位差施于金氧半场效晶体管的栅极与源极之间时，电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷，而这时就会形成所谓的“反转沟道”（inversion channel）。沟道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是n型，那么沟道也会是n型。沟道形成后，金氧半场效晶体管即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由金氧半场效晶体管的沟道流过的电流大小亦会受其控制而改变。