相关证件：
会员类型：
会员年限：14年
张桐 
电话：0755-23994969
手机：13312935954
苏玥
电话：0755-82767515
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 1.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 170 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
高度: 1.12 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: FDN5618P
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: MOSFET
宽度: 1.4 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 值: 4.3 S
CNHTS: 8541210000
下降时间: 8 ns
HTS代码: 8541210095
MXHTS: 85412101
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
TARIC: 8541210000
典型关闭延迟时间: 16.5 ns
典型接通延迟时间: 6.5 ns
零件号别名: FDN5618P_NL
单位重量: 30 mg
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
基本信息
中文名称 金属-氧化层 半导体场效晶体管
外文名称 MOSFET
金属—氧化层—半导体电容
发明时间 1960年
发明人 D. Kahng和 Martin Atalla
发明机构 贝尔实验室（Bell Lab.）
