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会员类型：
会员年限：14年
张桐 
电话：0755-23994969
手机：13312935954
苏玥
电话：0755-82767515
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerFLAT-5x6-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 25 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 94 W
通道模式: Enhancement
商标名: STripFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: STL90N6F7
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 7.8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 17.6 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 24.4 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。
以金氧半场效晶体管（MOSFET）的命名来看，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal（金属）”的个字母M，在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料，但随着半导体技术的进步，现代的金氧半场效晶体管栅极已用多晶硅取代了金属。
金氧半场效晶体管在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而IGFET的栅极绝缘层，有可能是其他物质，而非金氧半场效晶体管使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管组件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是金氧半场效晶体管。
