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AFGHL50T65SQDC采用的场截止IGBT和SiC肖特基二极管技术，提供低导通损耗和开关损耗，用于多方面的电源应用，包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用，如基于图腾柱的无桥功率因数校正(PFC)和逆变器。
该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒二极管共同封装，从而在硅基方案的较低性能和完全基于SiC方案的较高成本之间提供出色的权衡。该高性能器件额定工作电压650 V，能够处理高达100 A@25 °C (50 A@100 °C)的连续电流，以及高达200 A的脉冲电流。对于需要更大电流能力的系统，正温度系数令并行工作更简便。

   　现代电动汽车的应用不仅利用能源行驶，在某些情况下还储存能量，以便在高峰时期为家庭供电。这需要一个双向充电器，必须有高的开关效率，以确保转换时不浪费能量。在这种情况下，集成外部SiC二极管的IGBT比MOSFET方案提供更高能效，因为没有相关的正向或反向恢复损耗。
AFGHL50T65SQDC可在高达175 °C的结温下工作，适用于包括汽车在内的严苛的电源应用。它完全符合AEC-Q 101，进一步证明其适用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV) 车载充电机。
除了新的混合IGBT，安森美半导体还将在PCIM推出并展示一系列新的隔离型大电流IGBT驱动器。NCD(V)57000系列针对多种电源应用，包括太阳能逆变器、电机驱动、不间断电源系统(UPS)和汽车应用如动力总成和PTC加热器。
NCD(V)57000系列是大电流单通道IGBT驱动器，内置伽伐尼安全隔离设计，以在要求高可靠性的电源应用中提供高能效工作。该器件具有输入互补、漏极开路故障和输出准备就绪、有源米勒钳位、欠压锁定(UVLO)、软关断去饱和(DESAT)保护、负门极电压引脚和单独的高、低驱动输出等特点，为系统设计提供灵活性。
该器件的伽伐尼隔离额定值大于5 kVrms，满足UL 1577的要求，工作电压高于1200 V，保证8 mm爬电距离(输入>输出)以满足强化的安全隔离要求。NCD(V)57000器件可提供7.8 A驱动电流和7.1 A汲电流能力，是某些竞争器件的三倍多。更重要的是，它们还具有在米勒平坦区工作时更大的电流能力，同时结合其先进的保护特性，使它们成为同类的IGBT驱动器。